SCT3017ALHRC11

型号：

SCT3017ALHRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

客户编号:

型号描述：

MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

文件规格书:

SCT3017ALHRC11

规格

产品属性

属性值

Part Status：

Active

FET Type：

N-Channel

Technology：

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

650V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

118A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

22.1mOhm @ 47A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id：

5.6V @ 23.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

172nC @ 18V

Vgs (Max)：

+22V, -4V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

2884pF @ 500V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

427W

Operating Temperature：

175°C (TJ)

Mounting Type：

Through Hole

Supplier Device Package：

TO-247N

Package / Case：

TO-247-3

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起订量： 1 倍增量： 1

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单价：

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